當(dāng)稿件被《集成電路應(yīng)用》期刊退修后,可按以下流程進行修改,以提高錄用概率:
一、分析退稿原因
1.?仔細閱讀退稿通知:明確編輯或?qū)徃迦酥赋龅膯栴},如選題不符、創(chuàng)新性不足、數(shù)據(jù)缺陷或語言表達問題?。
2.區(qū)分退稿類型:可修改退稿、拒稿(若意見表明“研究方向不符”,建議改投其他期刊)
二、針對性修改策略
1.深入探討研究問題,提供更全面、深入的分析和討論。
2.增加相關(guān)理論背景和文獻綜述,以支持研究論點的合理性和創(chuàng)新性。
三、重新投稿準(zhǔn)備
1.?附修改說明:逐條回應(yīng)審稿意見,說明修改內(nèi)容及依據(jù)。
2.核對期刊要求:
(一)應(yīng)盡量簡潔、準(zhǔn)確,一般不超過20字。
(二)參考文獻附于正文之后,所列文獻必須是文中提及的,與正文相對應(yīng)的。
(三)文章關(guān)鍵要素,需有英文摘要。
(四)來稿須為作者本人原創(chuàng),且未公開發(fā)表,稿件內(nèi)容要求文字精煉、層次清晰、觀點鮮明。來稿確保不涉及保密信息、署名無爭議,因文字、引注、圖片等引發(fā)的觀點或版權(quán)問題,皆由作者本人承擔(dān)。
(五)借喻詞一般需用“”號;課題名用“”號,不用“《》”。
綜上所述,通過不斷地修改和完善,提高稿件的質(zhì)量和學(xué)術(shù)水平,增加被期刊錄用的機會。
《集成電路應(yīng)用》是一本在電力領(lǐng)域具有較高影響力的學(xué)術(shù)理論期刊,于1984年創(chuàng)刊,由中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司主管,上海貝嶺股份有限公司主辦,為月刊,國內(nèi)統(tǒng)一刊號為CN:31-1325/TN,國際標(biāo)準(zhǔn)刊號為ISSN:1674-2583。
該刊設(shè)置了產(chǎn)業(yè)評論、市場分析、設(shè)計與研究、工藝與制造、創(chuàng)新應(yīng)用、新產(chǎn)品、區(qū)域動態(tài)、讀者信箱等欄目,覆蓋電力領(lǐng)域多個研究方向,以反映電力領(lǐng)域的最新動態(tài)和發(fā)展趨勢。
集成電路應(yīng)用發(fā)表范例
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28 nm鍺硅工藝極微小顆粒缺陷監(jiān)控方法與改善措施研究
作者:龍吟; 范榮偉; 羅興華
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LDD后熱處理工藝對28 nm PMOSFET短溝道效應(yīng)的影響
作者:朱巧智; 劉巍; 李潤領(lǐng)
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40 nm CMOS工藝平臺多叉指NMOS器件設(shè)計與截止頻率提升
作者:王全; 劉林林; 馮悅怡
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一種通過優(yōu)化熱處理條件提升CIS器件性能的方法
作者:王艷生; 焦爽; 秋沉沉; 徐炯
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金屬硅化物阻擋層刻蝕對一次性編程單元數(shù)據(jù)保持性能的影響
作者:黃慶豐
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射頻器件在片測試結(jié)構(gòu)與去嵌入方法
作者:王全; 劉林林; 馮悅怡
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多腔體密封集成電路的顆粒碰撞噪聲檢測PIND研究
作者:李秋楓
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基于圖像分析的CD-SEM顯微視覺清晰度檢測技術(shù)研究
作者:姜國偉; 田寶; 章屠靈
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一種應(yīng)用于半導(dǎo)體制造業(yè)的支持向量機SVM檢測方法
作者:王艷生; 俞微; 魏崢穎
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CTP觸控模組表面貼裝SMT工藝研究
作者:黃貴松; 鄧雄; 崔衛(wèi)星
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